Определение ширины запрещенной зоны полупроводника оптическим методом: Руководство к лабораторной работе для студентов всех специальностей/
| Главный автор: | Галеева, А. И. (Автор) |
|---|---|
| Соавтор: | Министерство образования и науки Российской Федерации21 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21 Кафедра физики |
| Формат: | Книга |
| Публикация: |
Томск:
ТУСУР
2004
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР |
Похожие документы
-
Определение ширины запрещенной зоны полупроводника методом измерения обратных токов электронно-дырочного перехода: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007) -
Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода: руководство к лабораторным работам по физике для студентов всех специальностей/
по: Мухачев, В. А. Валерий Александрович, et al.
Публикация: (2004) -
Определение ширины запрещенной зоны полупроводникового материала методом экстракции неосновных носителей: руководство к лабораторной работе по дисциплине "Физические основы электронной техники" для студентов специальности 0611 и 0612/
по: Шангин, А. С. Александр Сергеевич
Публикация: (1987) -
Определение ширины запрещенной зоны беспримесных алмазов
по: Попова, Алина Сергеевна -
Определение ширины запрещенной зоны синтетических алмазов
по: Попова, Алина Сергеевна
