Арсенид галлия: труды: пер. сангл./

Арсенид галлия: труды: пер. сангл./

Библиографическая информация
Соавтор:	Международный симпозиум, организованный Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США
Другие авторы:	Визель, А. А. (Переводчик)
Формат:	Материалы конференции Книга
Публикация:	М.: Советское радио 1972
Предметы:	галлий арсенид галлия конференции симпозиумы полупроводниковые материалы
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение: научное издание/
по: Бурдуков, Ю. М., et al.
Публикация: (1973)

Арсенид галлия Сборник
Публикация: (1974)

Современные приборы на основе арсенида галлия
по: Шур, Михаил Саулович
Публикация: (1991)

Арсенид галлия [cборник
Публикация: (1974)

Арсенид галлия - как материал для микромеханики
по: Юрченко, Василий Иванович

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ./
по: Уиссмен, У. Ф. Уильям Ф., et al.
Публикация: (1988)

Исследование проникновения атомарного водорода в арсенид галлия во время гидрогенизации при низком давлении

Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия

Глубокие уровни тетраэдрических кластеров из атомов мышьяка и галлия в арсенида галлия
по: Чалдышев, Виктор Александрович 1929-2008

Исследование методом электронной Оже-спектроскопии физико-химических взаимодействий в структурах металл-арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
по: Пирогов, Виктор Алексеевич
Публикация: (1986)

Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа
Публикация: (2002)

Арсенид галлия (Сборник статей)
Публикация: (1968)

Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года тезисы докладов
Публикация: (1978)

Исследование дефектности сложных поликристаллических слоев арсенида галлия для фотопреобразователей
по: Юрченко, Алексей Васильевич

Исследование физико-химических закономерностей поведения арсенида галлия в водных растворах в связи с электроосаждением металлов и свойства контактов металл - арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Лаврищева, Ида Тимофеевна
Публикация: (1978)

Термодинамический аспект разрушения пластин арсенида галлия при импульсном отжиге
по: Смирнов, Серафим Всеволодович

Концентрационный и температурный фазовые переходы в арсениде галлия n-типа

О практическом применении арсенида галлия, легированного переходными металлами
по: Хлудков, Станислав Степанович

Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Публикация: (2022)

Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Окунев, В. Д.
Публикация: (1972)

Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе
по: Хлудков, Станислав Степанович

Частотная зависимость поверхностной проводимости полуизолирующего арсенида галлия
по: Лисюк, Ю. В

Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия

Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs

Образование радиационных дефектов в арсениде галлия
по: Пешев, Владимир Викторович

Электронная структура поверхностей (001) и (110) арсенида галлия и алмаза

Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения

Optical and vibration properties of GaAs quantum wires grown with partial filling of corrugated (311) AlAs surfaces

Формирование комплексов с антиструктурными дефектами AsGa в монокристаллах арсенида галлия
по: Литвинова, Марина Борисовна

Выращивание монокристаллов арсенида галлия методом вертикальной направленной кристаллизации

Физические основы люминесцентной метрологии содержания мелких акцепторов и доноров в соединениях A3B5

Влияние эффектов захвата в детекторах из арсенида галлия на частотную зависимость выходного сигнала
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия

Многоканальная микросхема на арсениде галлия для регистрации, усиления и первичной обработки сигналов

Перераспределение точечных дефектов при диффузии цинка в арсенид галлия

Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме

Дозиметрические свойства монокристаллов GaAs Te

Получение монокристаллов высокочистого полуизолирующего арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава
по: Марков, Александр Владимирович физик

Эффективные источники поляризованных электронов на основе тонких напряженных слоев GaAsP

Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs