Определение ширины запрещенной зоны полупроводникового материала методом экстракции неосновных носителей: руководство к лабораторной работе по дисциплине "Физические основы электронной техники" для студентов специальности 0611 и 0612/
| Главный автор: | Шангин, А. С. Александр Сергеевич (Автор) |
|---|---|
| Соавтор: | Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР21 Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники(Томск)21 Кафедра электронных приборов |
| Формат: | Книга |
| Публикация: |
Томск:
ТИАСУР
1987
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР |
Похожие документы
-
Измерение контактной разности потенциалов: руководство к лабораторной работе по дисциплине "Физические основы электронной техники" для студентов специальности 0611 "Электронные приборы" и 0612 "Промышленная электроника"/
по: Шангин, А. С. Александр Сергеевич
Публикация: (1987) -
AFM study of charging of the Au-n-GaAs contact
по: Shmargunov, A. V. -
Распределение поверхностного потенциала на гетерогранице AlxGa1-xAs
по: Брудный, Павел Александрович - Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe
-
Введение в теоретическую физику
по: Планк, Макс 1858-1947
Публикация: (2004)
