Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • Туннельный эффект в вырожденн...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Туннельный эффект в вырожденном р-n-переходе. Общая физика: Руководство к лабораторной работе для студентов всех специальностей/

Туннельный эффект в вырожденном р-n-переходе. Общая физика: Руководство к лабораторной работе для студентов всех специальностей/

Библиографическая информация
Главные авторы: Галанский, В. Л. Владимир Лазаревич (Автор), Зеленский, В. И. (Автор)
Соавтор: Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР21 Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники21 Кафедра физики
Формат: Книга
Публикация: Томск: ТИАСУР 1990
Предметы:
учебные пособия
лабораторные работы
туннельные диоды
полупроводниковые приборы
p-n-переходы
Online-ссылка:Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

  • Туннельный эффект в вырожденном p-n-переходе: Руководство к лабораторной работе по физике для студентов всех специальностей/
    по: Галанский, В. Л. Владимир Лазаревич, et al.
    Публикация: (2007)
  • Туннельный эффект в вырожденном p-n переходе: руководство к лабораторной работе по физике для студентов всех специальностей/
    по: Лячин, А. В. Александр Владимирович, et al.
    Публикация: (2010)
  • Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов
    Публикация: (1965)
  • Переходные процессы в германиевых диодах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
    по: Калыгина, Вера Михайловна
    Публикация: (1969)
  • Основы теории полупроводниковых приборов
    по: Пикус, Григорий Езекиелевич
    Публикация: (1965)
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...