Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP[[d]][[s6]]2[[/s]][[/d]], ZnGeP[[d]][[s6]]2[[/s]][[/d]]) полупроводниковых фосфидах: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук наук. 01.04.10/

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP[[d]][[s6]]2[[/s]][[/d]], ZnGeP[[d]][[s6]]2[[/s]][[/d]]) полупроводниковых фосфидах: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук наук. 01.04.10/

Библиографическая информация
Главный автор: Новиков, В. А. Владимир Александрович (Автор)
Соавтор: Томский государственный университет21 Сибирский физико-технический институт
Другие авторы: Брудный , В. Н. Валентин Натанович
Формат: Книга
Публикация: Томск 2007
Предметы:
авторефераты
полупроводниковые материалы
полупроводники
радиационные дефекты
фосфиды А{\dn III} В{\dn V}
полупроводниковые фосфиды
электрофизические свойства
тензоэлектрические свойства
InP
GaP
CdSnP{\dn 2}
ZnGeP{\dn 2}
дефекты в кристаллах
Online-ссылка:https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01003161649?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
Описание
Объем:24[2] с.: a-ил.
Библиография:Библиогр.: с. 22-24

Похожие документы