Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP[[d]][[s6]]2[[/s]][[/d]], ZnGeP[[d]][[s6]]2[[/s]][[/d]]) полупроводниковых фосфидах: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук наук. 01.04.10/

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP[[d]][[s6]]2[[/s]][[/d]], ZnGeP[[d]][[s6]]2[[/s]][[/d]]) полупроводниковых фосфидах: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук наук. 01.04.10/

Библиографическая информация
Главный автор:	Новиков, В. А. Владимир Александрович (Автор)
Соавтор:	Томский государственный университет21 Сибирский физико-технический институт
Другие авторы:	Брудный , В. Н. Валентин Натанович
Формат:	Книга
Публикация:	Томск 2007
Предметы:	авторефераты полупроводниковые материалы полупроводники радиационные дефекты фосфиды А{\dn III} В{\dn V} полупроводниковые фосфиды электрофизические свойства тензоэлектрические свойства InP GaP CdSnP{\dn 2} ZnGeP{\dn 2} дефекты в кристаллах
Online-ссылка:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01003161649?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO[[d]][[s6]]2[[/s]][[/d]]: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Анисимов, О. В. Олег Викторович
Публикация: (2007)

Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2
по: Титов, Константин Сергеевич

Исследование процесса оптического пробоя кристаллов ZnGeP2 посредством цифровой голографии

Развитие технологии нелинейно-оптических кристаллов ZnGeP2 и преобразователей частоты лазерного излучения на их основе для систем газоанализа атмосферы
по: Гейко, Павел Пантелеевич

Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Численное исследование преобразования частоты излучения неселективного CO-лазера в ТГц-диапазон в кристалле ZnGeP2

Influence of post-post processing technology and laser radiation parameters on the optical breakdown threshold of a ZnGeP2 single crystal

The effect of volume inclusions of the ZnGeP2 single-crystal on the dispersion of the refraction index and the absorption coefficient in mid-IR and terahertz ranges of wavelengths

Диагностика включений в кристаллах ZnGeP2 методом терагерцовой спектроскопии

Технология ММХ: Новые возможности процессоров P5 и P6/
по: Бердышев Евгений Михайлович
Публикация: (1998)

Расчет концентрации собственных точечных дефектов в многокомпонентных фосфидах III группы

P-adic numbers an introduction
по: Gouvea, Fernando Q.
Публикация: (2003)

О концепции P2P при передаче данных в сети с ограниченными возможностями
по: Джегюеде, Адейеми Марк Ауреле Эммануэль

A course in p-adic analysis
по: Robert, Alain M.
Публикация: (2000)

Импульсное осаждение полупроводниковых плёнок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.07/
по: Салтымаков, М. С. Максим Сергеевич
Публикация: (2010)

Исследование эквивалентов P-N-P-N- структуры для аналоговых устройств автоматики, измерительной техники и радиоэлектроники: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук./
по: Степанова Людмила Николаевна
Публикация: (1979)

Исследование изменчивости P.intricata на территории Сибири
по: Мезина, Наталья Сергеевна

Полупроводниковые фосфиды AIII B V и твердые растворы на их основе : производственно-практическое издание/
по: Марина, Л. И. Лидия Ивановна, et al.
Публикация: (1974)

О нильгруппах p-ранга 1
по: Чехлов, Андрей Ростиславович 1958-

Strongly and solidly ω1-weak pω·2+n-projective Abelian p-groups
по: Danchev, Peter V.

Диэлектрическое поляризационное зеркало для систем ПГС среднего ИК-диапазона

Основы проектирования печатных плат в САПР P-CAD 4.5, P-CAD 8.5-8.7 и ACCEL EDA/
по: Сучков Дмитрий Иванович
Публикация: (2000)

Подобные абелевы p-группы
по: Гриншпон, Самуил Яковлевич

Туннельный эффект в вырожденном p-n-переходе: Руководство к лабораторной работе по физике для студентов всех специальностей/
по: Галанский, В. Л. Владимир Лазаревич, et al.
Публикация: (2007)

p-Элементы учебное пособие
Публикация: (2008)

P-CAD. Проектирование и конструирование электронных устройств/
по: Уваров, А. С. Андрей Серафимович
Публикация: (2004)

Исследование режимов синтеза соединения CdSiP2
по: Курасова, Анна Сергеевна

Об эндоморфизмах p-группы ранга 3
по: Степанова, Александра Юрьевна

Об эндоморфизмах p-группы ранга 3
по: Степанова, Александра Юрьевна

Аутостабилизация pH среды микроорганизмами
по: Хомченко, Н. А.

Проектирование печатных плат РЭС в системе P-CAD/
по: Кобрин Юрий Павлович
Публикация: (1998)

Система P-CAD 2000: Справочник команд/
по: Разевиг Всеволод Данилович
Публикация: (2001)

Система P-CAD 8.5: Руководство пользователя/
по: Разевиг Всеволод Данилович, et al.
Публикация: (1998)

Системы P-CAD 8.5: Руководство пользователя/
по: Разевиг Всеволод Данилович, et al.
Публикация: (1997)

Траектории движения солитонов в потенциальном поле плазмиды pPF1
по: Краснобаева, Лариса Александровна

On the socles of characteristically inert subgroups of Abelian p-groups
по: Chekhlov, Andrey R.

Projectively invariant subgroups of Abelian p-groups
по: Chekhlov, Andrey R.

Weakly fully and characteristically inert socle-regular Abelian p-groups
по: Chekhlov, Andrey R.

P-i-n диоды в широкополосных устройствах СВЧ/
по: Дзехцер, Г. Б., et al.
Публикация: (1970)

Кольцо целых p-адических чисел
по: Михалькова, Милена Ивановна