Исследование структуры металл-диэлектрик-полупроводник: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/

Исследование структуры металл-диэлектрик-полупроводник: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/

Библиографическая информация
Главные авторы:	Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич (Автор), Романовский, М. Н. Михаил Николаевич (Автор), Славникова, М. М. Марина Михайловна (Автор)
Соавтор:	Федеральное агентство по образованию21 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21 Кафедра конструирования узлов и деталей РЭА
Формат:	Книга
Публикация:	Томск: ТУСУР 2007
Предметы:	учебные пособия лабораторные работы микроэлектроника физические основы металл-диэлектрик-полупроводник диэлектрики полупроводники
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник

Исследование реактивно распыленных диэлектрических пленок в МДП-структурах: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук/
по: Шандра, З. А.
Публикация: (1972)

Контакты металл-полупроводник: физика и модели
по: Божков, Владимир Григорьевич
Публикация: (2016)

Контакты металл - полупроводник: Пер. с англ./
по: Родерик Эмвил Х.
Публикация: (1982)

Электронные процессы в тонкопленочных структурах металл-диэлектрик-металл: монография/
по: Воробьев, Г. А. Григорий Абрамович, et al.
Публикация: (2007)

Физические основы микроэлектроники: Учебное пособие (для автоматизированной технологии обучения)/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике: /
по: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
Публикация: (1987)

Нелинейное экранирование и переход металл-диэлектрик в двумерном электронном газе
по: Васильченко, Александр Анатольевич

Электролюминесценция в формированных МДМ-структурах
по: Калистратов, С. В.

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2009)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2011)

Разработка ненакаливаемых катодов на основе тонкопленочной системы металл-диэлектрик-металл и решение на их основе некоторых задач эмиссионной электроники: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. 05.12.10/
по: Янкелевич Юзеф Бенционович
Публикация: (1978)

Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2014)

Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells

Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Васильев, О. В.

Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников в жидких средах учебное пособие : [для студентов по направлениям "Химия", "Химия, физика и механика материалов", "Фундаментальная и прикладная химия", аспирантов, преподавателей химических вузов и факультетов]
по: Мокроусов, Геннадий Михайлович
Публикация: (2015)

Переходные процессы в полупроводниковых и диэлектрических диодах диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021
Публикация: (1969)

Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K

Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Эмиссионные свойства структур металл-диэлектрик-металл на основе пленок оксинитрида кремния. Спец.01.04.04-Физич. электроника, в т. ч. квантовая: диссертация на соиск. уч. ст. канд. физ. -мат. наук. На правах рукописи/
по: Галанский Владимир Лазаревич
Публикация: (1979)

Электрические свойства структур металл - Pb0.75Sn0.25Te<Pb>
по: Ахундова, Наиля Мубин гызы

Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Технологические процессы микроэлектроники: Учебное пособие/
по: Романовский, М. Н. Михаил Николаевич
Публикация: (2002)

Электропроводность и деградационные процессы в формованной тонкопленочной структуре металл-диэлектрик-металл на основе оксинитрида кремния диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Лубсанов, Ринчин Балданович
Публикация: (1986)

Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов GaAs/lr/Ni в условиях химической пассивации границ полупроводника и электрохимического осаждения металлов
по: Фомина, Лариса Валерьевна

Моделирование компонентов и элементов интегральных схем [учебное пособие для студентов вузов, обучающихся по специальности 210104 (200100) - "Микроэлектроника и твердотельная электроника"]
по: Петров, Михаил Николаевич
Публикация: (2011)

Электрофизические свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Исследование механизма токопереноса в системе металл - халькогенидное стекло - металл (полупроводник) диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Базаров, Владимир Дугарович
Публикация: (1967)

Зарядоперенос в структурах с диэлектрическими слоями
по: Гуртов, Валерий Алексеевич
Публикация: (2010)

AFM study of charging of the Au-n-GaAs contact
по: Shmargunov, A. V.

Switchable Schottky contacts: simultaneously enhanced output current and reduced leakage current

Инверсные слои в структурах на основе AlxGa1-xSb

Программа, методические указания и контрольные задания по дисциплине "Физические основы микроэлектроники" для студентов заочного обучения специальности 210201 "Проектирование и технология радиоэлектронных средств" и 210202 "Проектирование и технология электронно-вычислительных средств"/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников [Сборник статей]
Публикация: (1975)

Упорядочение латеральной неоднородности в контакте TiBx-GaAs

Межфазные явления в системах. Многокомпонентное соединение - раствор, оксид, металл Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук. ДСП
по: Мокроусов, Геннадий Михайлович
Публикация: (1999)