Исследование фотопроводимости полупроводников и определение релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
| Главные авторы: | Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич (Автор), Славникова, М. М. Марина Михайловна (Автор) |
|---|---|
| Соавтор: | Федеральное агентство по образованию21 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21 Кафедра конструирования узлов и деталей РЭА |
| Формат: | Книга |
| Публикация: |
Томск:
ТУСУР
2007
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР |
Похожие документы
-
Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007) - Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в поликристаллическом кремнии СВЧ-методом
-
Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007) -
Определение времени жизни носителей заряда методом модуляции проводимости: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007) - Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом
