Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • Исследование гальваномагнитног...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Исследование гальваномагнитного эффекта: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальности 210201 и 210202/

Исследование гальваномагнитного эффекта: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальности 210201 и 210202/

Библиографическая информация
Главные авторы: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич (Автор), Широков, А. А. Александр Александрович (Автор)
Соавтор: Федеральное агентство по образованию21 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21 Кафедра конструирования узлов и деталей РЭА
Формат: Книга
Публикация: Томск: ТУСУР 2007
Предметы:
учебные пособия
лабораторные работы
микроэлектроника
физические основы
гальваномагнитные явления
исследования
Online-ссылка:Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

  • Исследование структуры металл-диэлектрик-полупроводник: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
    по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
    Публикация: (2007)
  • Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
    по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
    Публикация: (2007)
  • Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
    по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
    Публикация: (2007)
  • Физические основы микроэлектроники: лабораторный практикум/
    по: Торгонский, Л. А. Леонид Александрович
    Публикация: (2007)
  • Исследование фотопроводимости полупроводников и определение релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
    по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
    Публикация: (2007)
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...