Исследование гальваномагнитного эффекта: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальности 210201 и 210202/
| Главные авторы: | Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич (Автор), Широков, А. А. Александр Александрович (Автор) |
|---|---|
| Соавтор: | Федеральное агентство по образованию21 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21 Кафедра конструирования узлов и деталей РЭА |
| Формат: | Книга |
| Публикация: |
Томск:
ТУСУР
2007
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР |
Похожие документы
-
Исследование структуры металл-диэлектрик-полупроводник: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007) -
Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007) -
Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007) -
Физические основы микроэлектроники: лабораторный практикум/
по: Торгонский, Л. А. Леонид Александрович
Публикация: (2007) -
Исследование фотопроводимости полупроводников и определение релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)
