Разработка и исследование координатных детекторов на арсениде галлия для цифровых рентгеновских аппаратов: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/

Разработка и исследование координатных детекторов на арсениде галлия для цифровых рентгеновских аппаратов: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/

Библиографическая информация
Главный автор:	Лелеков, М. А. Михаил Александрович (Автор)
Соавтор:	Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов21 Томский государственный университет
Другие авторы:	Айзенштат, Г. И. Геннадий Исаакович
Формат:	Книга
Публикация:	Томск 2009
Предметы:	авторефераты координатные детекторы детекторы излучений ионизирующие излучения арсенид галлия рентгенотехника цифровая рентгенотехника полупроводниковые детекторы
Online-ссылка:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01003465688?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Разработка и исследование координатных детекторов на арсениде галлия для цифровых рентгеновских аппаратов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/
по: Лелеков, М. А. Михаил Александрович
Публикация: (2009)

Исследование детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия

Разработка и исследование блока детектирования на основе твердотельных арсенид галлиевых детекторов для малодозовых маммографических аппаратов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.11.17
по: Нам, И. Ф. специалист в области электрофизики доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук 1981-
Публикация: (2011)

Разработка и исследование блока детектирования на основе твердотельных арсенид галлиевых детекторов для малодозовых маммографических аппаратов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.11.17
по: Нам, И. Ф. специалист в области электрофизики доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук 1981-
Публикация: (2011)

Сбор заряда в координатных детекторах рентгеновского излучения на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хрома

Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия
по: Зенкова, Анастасия Дмитриевна

Исследование особенностей сбора заряда в GaAs π-ν-n структурах, компенсированных Cr
по: Авдеева, Е. Н.

Пиксельный детектор на арсениде галлия для маммографии
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr

Многоканальная микросхема на арсениде галлия для регистрации, усиления и первичной обработки сигналов

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
по: Толбанов, Олег Петрович

Моделирование процессов разделения и сбора заряда в GaAs детекторах с учетом эффектов захвата
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Transport of non-equilbrium carriers in space charge region of p-ν-n detectors from Si GaAs

Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия

Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr
по: Мокеев, Дмитрий Юрьевич

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом

Частотная зависимость выходного сигнала в детекторах из арсенида галлия

Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом

Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Координатные детекторы рентгеновского излучения на арсениде галлия

Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Моделирование процесса переноса носителей заряда в арсенид-галлиевом детекторе
по: Губочкин, А. М.

Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия

Моделирование распределения напряженности поля арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом
по: Тяжев, Антон Владимирович

Investigation of the radiation hardness of GaAs sensors in an electron beam

Characterization of photon counting pixel detectors based on semi-insulating GaAs sensor material

Микростриповые детекторы на GaAs с контактами на основе модифицированных ионами слоев полупроводника
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Детекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs

Рентгенотехника Справочник. В 2-х кн.
Публикация: (1980)

Неразрушающий метод контроля полуизолирующего арсенида галлия для детекторов ионизирующего излучения
по: Ерохин, А. Н.

Исследование электронных процессов в GaAs детекторах
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Импульсные характеристики арсенид галлиевых детекторов заряженных частиц
по: Потапов, Александр Иванович

Актуальные вопросы физики полупроводниковых детекторов [сборник]
Публикация: (1981)

Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers

Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation

Dependence of X-ray sensitivity of GaAs:Cr sensors on material of contacts

Влияние эффектов захвата в детекторах из арсенида галлия на частотную зависимость выходного сигнала
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Анализ возможности координатного преобразования потока ионизирующего излучения в излучение оптического диапазона с использованием GaAs-детекторов
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович