Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/

Библиографическая информация
Главный автор:	Дзядух, С. М. Станислав Михайлович (Автор)
Соавтор:	Томский государственный университет21 Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета
Другие авторы:	Войцеховский, А. В. Александр Васильевич
Формат:	Книга
Публикация:	Томск 2010
Предметы:	авторефераты гетероэпитаксильные структуры МДП-структуры полупроводники диэлектрики HgCdTe молекулярно-лучевая эпитаксия
Online-ссылка:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01004617375?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Дзядух, Станислав Михайлович
Публикация: (2010)

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe

Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса

Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm

Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy

Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis

Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Матричное фотоприемное устройство средневолнового ИК диапазона спектра с nBn-архитектурой из CdHgTe с барьерным слоем на основе сверхрешетки

Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe

Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

Localization and nature of radiation donor defects in the arsenic implanted CdHgTe films grown by MBE

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Дзядух, Станислав Михайлович
Публикация: (2010)

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Публикация: (2001)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе варизонного HgCdTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дзядух, Станислав Михайлович

Разработка методик и аппаратуры для исследования МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, созданного методом МЛЭ

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального КРТ МЛЭ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические МДП-приборы/
по: Зуев, В. А. Владимир Алексеевич, et al.
Публикация: (1983)

МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов

Фотоэлектрические свойства неоднородных МДП-структур
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Фотоэлектрические свойства неоднородных Si-МДП-структур
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si

Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe

Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1-хCdхTe (x = 0.22-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23)