$Разработка и исследование элементной базы на гетероструктурах на основе соединений A{\up 3}B{\up 5} для СВЧ-модулей: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/$

Разработка и исследование элементной базы на гетероструктурах на основе соединений A{\up 3}B{\up 5} для СВЧ-модулей: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/

Библиографическая информация
Главный автор:	Ющенко, А. Ю. Алексей Юрьевич (Автор)
Соавтор:	Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов(Томск)21 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Другие авторы:	Айзенштат, Г. И. Геннадий Исаакович
Формат:	Книга
Публикация:	Томск 2011
Предметы:	ДИССЕРТАЦИИ МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ PIN - ДИОДЫ ШОТТКИ ДИОДЫ ТРАНЗИСТОРЫ АП399А-5
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Разработка и исследование элементной базы на гетероструктурах на основе соединений A{\up 3}B{\up 5} для СВЧ-модулей: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/
по: Ющенко, А. Ю. Алексей Юрьевич
Публикация: (2011)

Монолитная интегральная схема мощного переключателя прием - передача с защитой приемного канала для Х-диапазона частот на основе pin-диодов

Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом
по: Ющенко, Алексей Юрьевич

Переходные процессы в СВЧ-pin-диодах на арсениде галлия
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции

Твердотельная электроника: учебное пособие/
по: Легостаев, Н. С. Николай Степанович, et al.
Публикация: (2011)

Полупроводниковая электроника учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»]
по: Гермогенов, Валерий Петрович
Публикация: (2015)

A method for determining the ambipolar diffusion length and carrier lifetime in GaAs p-i-n diodes
по: Ayzenshtat, G. I.

Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение: научное издание/
по: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
Публикация: (1974)

Электроника и микроэлектроника: методическое пособие для студентов специальности 230200 "Сервис бытовой радиоэлектронной аппаратуры", 201500 "Бытовая радиоэлектронная аппаратура"/
по: Шалимов, В.А
Публикация: (1998)

The radiation defects introduction in InP shottky diodes
по: Peshev, V. V.

Физика полупроводниковых приборов
по: Лебедев, Александр Иванович
Публикация: (2008)

Диоды Шоттки на основе GaAs с туннельнопрозрачным слоем Ga2Se3

Полупроводниковые СВЧ-приборы
по: Божков, Владимир Григорьевич

Application of the Schottky diode as a detector of continuous terahertz radiation
по: Badin, Alexander V.

Switchable Schottky contacts: simultaneously enhanced output current and reduced leakage current

Сверхширокополосные СВЧ устройства модулей приема падающих и отраженных волн векторных анализаторов цепей: дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 05.12.07 - Антенны, СВЧ устройства и их технологии/
по: Дроботун, Н. Б. Николай Борисович
Публикация: (2017)

Сверхширокополосные СВЧ устройства модулей приема падающих и отраженных волн векторных анализаторов цепей: автореферат дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 05.12.07 - Антенны, СВЧ устройства и их технологии/
по: Дроботун, Н. Б. Николай Борисович
Публикация: (2017)

Физика полупроводниковых приборов [Учебное пособие для вузов по специальностям: "Радиофизика и электроника", "Оптоэлектронные приборы и системы"]
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021
Публикация: (2000)

Диоды, мосты и стабилитроны фирмы DC Components/
Публикация: (1999)

Предельное положение уровня Ферми в сильно облученных кристаллах нитрида галлия

Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ: монография/
по: Усанов Дмитрий Александрович, et al.
Публикация: (1999)

Детектор терагерцового диапазона на диоде Шоттки
по: Пидотова, Диана Андреевна

Диоды и их зарубежные аналоги Справочник: В 3 т.
по: Хрулев, Аркадий Квинтилианович
Публикация: (1998)

Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3
по: Яковлев, Никита Николаевич

Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов

Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров: учебное пособие: в 2 разделах/
по: Торгонский, Леонид Александрович
Публикация: (2007)

Development of a high-voltage waveguide photodetector comprised of Schottky diodes and based on the Ge-Si structure with Ge quantum dots for portable thermophotovoltaic converters

Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем

Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3
по: Цымбалов, Александр Вячеславович

СВЧ - полупроводниковые приборы и их применение
Публикация: (1972)

Transient processes in the GaAs-based microwave-pin-diodes
по: Ayzenshtat, G. I.

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
по: Нетудыхатко, А. В.

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе арсенида галлия
по: Захаров, Д. Н.

Твердотельная электроника: учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для студентов специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и бакалавров по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника"/
по: Троян, П. Е. Павел Ефимович
Публикация: (2007)

Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам: справочное издание/
по: Толкачева Янина Алексеевна, et al.
Публикация: (1976)

Справочник по полупроводниковым диодам и транзисторам: справочное издание/
по: Винокуров, И. А. Иосиф Абович, et al.
Публикация: (1964)

Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC

Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/
по: Арыков, В. С. Вадим Станиславович
Публикация: (2012)

Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/
по: Арыков, В. С. Вадим Станиславович
Публикация: (2012)