Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01/

Похожие документы

• Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста
• GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy
• Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации
• Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
  по: Войцеховский, Александр Васильевич
• Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии