|
|
|
|
| LEADER |
02000nam a2200265 i 4500 |
| 001 |
LibTUSUR0000051866 |
| 008 |
120315s2012 ru_а l000 0yrus d |
| 020 |
|
|
|c р10.00
|
| 040 |
|
|
|a zaret
|
| 100 |
1 |
|
|a Климов, Е. А.
|q Евгений Александрович
|4 aut
|
| 245 |
0 |
0 |
|a Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием:
|b автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01/
|c Е. А. Климов ; науч. рук. Г. Б. Галиев; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (М.)
|
| 260 |
|
|
|a М.
|c 2012
|
| 300 |
|
|
|a 18 с.:
|b а-ил.
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: с. 17-18
|
| 535 |
2 |
|
|a Библиотека ТУСУР
|d https://lib.tusur.ru
|
| 653 |
0 |
|
|a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
|
| 653 |
0 |
|
|a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
|
| 653 |
0 |
|
|a НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
|
| 653 |
0 |
|
|a АВТОРЕФЕРАТЫ
|
| 852 |
|
|
|a Библиотека ТУСУР
|h А
|i К 492
|p 427919
|b счз1
|
| 080 |
|
|
|a 621.793.162:621.315.592.3(043.3)
|
| 700 |
1 |
|
|a Галиев, Г. Б.
|q Галиб Бариевич
|
| 710 |
2 |
1 |
|a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН(М.)
|
| 856 |
4 |
|
|u https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01005012610?page=1&rotate=0&theme=white
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
|u https://lib.tusur.ru/irbis-new/i64r_15/cgiirbis_64.exe?Z21ID=&P21DBN=LIB&I21DBN=LIB&S21FMT=fullwebr&C21COM=S&2_S21P02=0&2_S21P03=I=&2_S21STR=А/К 492-645801
|
