Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/

Похожие документы

• Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/
  по: Арыков, В. С. Вадим Станиславович
  Публикация: (2012)
• Улучшение характеристик мощных транзисторов интегральных схем на основе ионно-легированных структур арсенида галлия с использованием гидрогенизации в атомарном водороде
• Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки
• Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
  по: Нетудыхатко, А. В.
• Диоды Шоттки на основе GaAs с туннельнопрозрачным слоем Ga2Se3