Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/

Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/

Библиографическая информация
Главный автор:	Арыков, В. С. Вадим Станиславович (Автор)
Соавтор:	Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов(Томск)21 Научно-производственная фирма "Микран"(Томск)
Другие авторы:	Кагадей, В. А. Валерий Алексеевич
Формат:	Книга
Публикация:	Томск 2012
Предметы:	ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ШОТТКИ ТРАНЗИСТОРЫ ДИССЕРТАЦИИ
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/
по: Арыков, В. С. Вадим Станиславович
Публикация: (2012)

Улучшение характеристик мощных транзисторов интегральных схем на основе ионно-легированных структур арсенида галлия с использованием гидрогенизации в атомарном водороде

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
по: Нетудыхатко, А. В.

Диоды Шоттки на основе GaAs с туннельнопрозрачным слоем Ga2Se3

Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом
по: Ющенко, Алексей Юрьевич

Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Вяткин, Анатолий Петрович

Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение: научное издание/
по: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
Публикация: (1974)

Детектор терагерцового диапазона на диоде Шоттки
по: Пидотова, Диана Андреевна

Расчет электростатического полевого транзистора Шоттки при наличии особенности электростатического поля
по: Нариманова, Гуфана Нурлабековна

Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия
по: Литвинюк, О. В.

Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки

Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3
по: Яковлев, Никита Николаевич

К вопросу о природе низкотемпературных избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Филонов, Николай Григорьевич

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе арсенида галлия
по: Захаров, Д. Н.

Интегральные СВЧ устройства на полевых транзисторах с барьером Шотки Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук 01.04.03
по: Бочков, Вячеслав Викторович
Публикация: (1996)

Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Филонов, Николай Григорьевич

Влияние нормального распределения высоты барьера на характеристики контакта с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

"Низкотемпературная аномалия" в контактах "металл - полупроводник" с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Васильев, О. В.

Построение моделей наногетероструктурных полевых транзисторов для усилительных и управляющих функциональных блоков СВЧ монолитных интегральных схем: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5; 2.2.14/
по: Попов, А. А. Артем Александрович
Публикация: (2023)

Построение моделей наногетероструктурных полевых транзисторов для усилительных и управляющих функциональных блоков СВЧ монолитных интегральных схем: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 1.3.5; 2.2.14/
по: Попов, А. А. Артем Александрович
Публикация: (2023)

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография]
по: Филонов, Николай Григорьевич
Публикация: (2018)

Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3
по: Цымбалов, Александр Вячеславович

Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов

The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом атомно-силовой микроскопии
по: Новиков, Вадим Александрович

The radiation defects introduction in InP shottky diodes
по: Peshev, V. V.

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ
по: Назарчук, Юлия Николаевна

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ
по: Назарчук, Юлия Николаевна

Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции

Влияние тылового контакта на электрофизические и функциональные характеристики пленочных CdTe-детекторных структур с барьером Шоттки

Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода

Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC

Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур
по: Филонов, Николай Григорьевич

Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров: учебное пособие: в 2 разделах/
по: Торгонский, Леонид Александрович
Публикация: (2007)

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом