Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов Х-диапазона для систем радиолокации: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/

Похожие документы

• Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
  по: Сим, П. Е. Павел Евгеньевич
  Публикация: (2018)
• Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
  по: Сим, П. Е. Павел Евгеньевич
  Публикация: (2018)
• Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/
  по: Ерофеев, Е. В. Евгений Викторович
  Публикация: (2012)
• Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04/
  по: Ерофеев, Е. В. Евгений Викторович
  Публикация: (2012)
• Плазменная металлизация в вакууме: научное издание/
  по: Достанко, А. П. Анатолий Павлович, et al.
  Публикация: (1983)