Хабибуллин, Р. А. Р. А., & Васильевский, И. С. И. С. (2012). Электронные свойства квантовых ям Al {\dn x}Ga{\dn 1-x}As/In{\dn y}Ga{\dn 1-y}As/Al{\dn x}Ga{\dn 1-x}As с комбинированным и дельта-легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Chicago-стиль цитированияХабибуллин, Р. А. Рустам Анварович, and И. С. Иван Сергеевич Васильевский. Электронные свойства квантовых ям Al {\dn X}Ga{\dn 1-x}As/In{\dn Y}Ga{\dn 1-y}As/Al{\dn X}Ga{\dn 1-x}As с комбинированным и дельта-легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. Ðœ, 2012.
MLA-цитированиеХабибуллин, Р. А. Рустам Анварович, and И. С. Иван Сергеевич Васильевский. Электронные свойства квантовых ям Al {\dn X}Ga{\dn 1-x}As/In{\dn Y}Ga{\dn 1-y}As/Al{\dn X}Ga{\dn 1-x}As с комбинированным и дельта-легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. 2012.