Сверхширокополосные СВЧ устройства модулей приема падающих и отраженных волн векторных анализаторов цепей: автореферат дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 05.12.07 - Антенны, СВЧ устройства и их технологии/

Сверхширокополосные СВЧ устройства модулей приема падающих и отраженных волн векторных анализаторов цепей: автореферат дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 05.12.07 - Антенны, СВЧ устройства и их технологии/

Библиографическая информация
Главный автор:	Дроботун, Н. Б. Николай Борисович (Автор)
Другие авторы:	Малютин, Н. Д. Николай Дмитриевич
Формат:	Книга
Публикация:	Томск 2017
Предметы:	НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ АВТОРЕФЕРАТЫ РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МАТРИЦЫ РАССЕЯНИЯ ШОТТКИ БАРЬЕР ДИОДЫ ШУМЫ ТОПОЛОГИЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ АППАРАТУРА
Online-ссылка:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008712813?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Сверхширокополосные СВЧ устройства модулей приема падающих и отраженных волн векторных анализаторов цепей: дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 05.12.07 - Антенны, СВЧ устройства и их технологии/
по: Дроботун, Н. Б. Николай Борисович
Публикация: (2017)

The radiation defects introduction in InP shottky diodes
по: Peshev, V. V.

Интегральные СВЧ устройства на полевых транзисторах с барьером Шотки Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук 01.04.03
по: Бочков, Вячеслав Викторович
Публикация: (1996)

Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом
по: Ющенко, Алексей Юрьевич

Разработка преобразователей частоты КВЧ диапазона: дис. на соиск. ученой степ. канд. технич. наук. Спец. 2.2.13 - Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения/
по: Билинский, К. В. Кирилл Владимирович
Публикация: (2024)

Electrophysical characteristics of Sub-THz diode with Schottky barrier
по: Moskalenko, Victoriya D.

Разработка преобразователей частоты КВЧ диапазона: автореферат дис. на соиск. ученой степ. канд. технич. наук. Спец. 2.2.13 - Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения/
по: Билинский, К. В. Кирилл Владимирович
Публикация: (2024)

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Контакты металл - полупроводник: Пер. с англ./
по: Родерик Эмвил Х.
Публикация: (1982)

Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия
по: Литвинюк, О. В.

The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition

Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем

Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Влияние нормального распределения высоты барьера на характеристики контакта с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Метод интегрального преобразования Абеля в задачах теории потенциала и дифракции для незамкнутых экранов сфероидальной и тороидальной формы Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.03
по: Виноградова, Елена Дмитриевна
Публикация: (1996)

Полупроводниковые СВЧ-приборы
по: Божков, Владимир Григорьевич

Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Васильев, О. В.

Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC

Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода

"Низкотемпературная аномалия" в контактах "металл - полупроводник" с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом

Сверхширокополосные направленные мосты для векторных анализаторов параметров цепей СВЧ диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 05.12.07 - Антенны, СВЧ устройства и их технологии/
по: Михеев, Ф. А. Филипп Александрович
Публикация: (2015)

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом атомно-силовой микроскопии
по: Новиков, Вадим Александрович

Влияние тылового контакта на электрофизические и функциональные характеристики пленочных CdTe-детекторных структур с барьером Шоттки

Контакты металл-полупроводник: физика и модели: монография/
по: Божков, В. Г. Владимир Григорьевич
Публикация: (2016)

Сверхширокополосные направленные мосты для векторных анализаторов параметров цепей СВЧ диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 05.12.07 - Антенны, СВЧ устройства и их технологии/
по: Михеев, Ф. А. Филипп Александрович
Публикация: (2015)

Повышение квантовой эффективности ИК-фотоприемников на основе PtSi-Si
по: Несмелов, Сергей Николаевич

К вопросу о природе низкотемпературных избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Филонов, Николай Григорьевич

Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки

Детекторы терагерцового излучения

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ
по: Назарчук, Юлия Николаевна

Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ
по: Назарчук, Юлия Николаевна

Микроволновые усилители с большим динамическим диапазоном: монография/
по: Туев, В. И. Василий Иванович, et al.
Публикация: (2013)

К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Филонов, Николай Григорьевич

Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Вяткин, Анатолий Петрович

Полупроводниковая электроника учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»]
по: Гермогенов, Валерий Петрович
Публикация: (2015)

Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография]
по: Филонов, Николай Григорьевич
Публикация: (2018)