Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/

Библиографическая информация
Главный автор: Федин, И. В. Иван Владимирович (Автор)
Соавтор: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)21 АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск)
Формат: Книга
Язык:Russian
Публикация: Томск: б. и. 2019
Предметы:
Online-ссылка:https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01010169609?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
LEADER 02082nam a2200277 i 4500
001 LibTUSUR0000076046
008 201102s2019 ru_ l000 0yrus d
020 |c р1.00 
040 |a torina  |b rus 
100 1 |a Федин, И. В.  |q Иван Владимирович  |4 aut 
245 0 0 |a Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия:   |b автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/  |c И. В. Федин; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" 
260 |a Томск:  |b б. и.  |c 2019 
300 |a 21 с. 
535 2 |a Библиотека ТУСУР  |d https://lib.tusur.ru 
653 0 |a БАРЬЕРНЫЙ КОНТАКТ 
653 0 |a СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА 
653 0 |a ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ 
653 0 |a РАДИАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА 
653 0 |a ТЕМПЕРАТУРА ОТЖИГА 
653 0 |a ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ 
852 |a Библиотека ТУСУР  |h А  |i Ф 326  |p 460274  |b сбо 
852 |a Библиотека ТУСУР  |h А  |i Ф 326  |p 460275  |b счз1 
080 |a 621.382.2(571.16) 
710 2 1 |a Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)21  |a АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск) 
856 4 |u https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01010169609?page=1&rotate=0&theme=white 
856 |y Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР  |u https://lib.tusur.ru/irbis-new/i64r_15/cgiirbis_64.exe?Z21ID=&P21DBN=LIB&I21DBN=LIB&S21FMT=fullwebr&C21COM=S&2_S21P02=0&2_S21P03=I=&2_S21STR=А/Ф 326-657644