Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/
| Main Author: | Федин, И. В. Иван Владимирович (Author) |
|---|---|
| Corporate Author: | Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)21 АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск) |
| Format: | Book |
| Language: | Russian |
| Published: |
Томск:
б. и.
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01010169609?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР |
Similar Items
-
Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/
by: Федин, И. В. Иван Владимирович
Published: (2019) - Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N
- Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
- Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении
- Быстродействующие мощные ИК-диоды
