Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/

Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/

Библиографическая информация
Главный автор:	Федин, И. В. Иван Владимирович (Автор)
Соавтор:	Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)21 АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск)
Формат:	Книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск: б. и. 2019
Предметы:	БАРЬЕРНЫЙ КОНТАКТ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ РАДИАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ТЕМПЕРАТУРА ОТЖИГА ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ
Online-ссылка:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01010169609?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/
по: Федин, И. В. Иван Владимирович
Публикация: (2019)

Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении

Conduction mechanism of metal-TiO2-Si structures

Conduction mechanism of metal-TiO2-Si structures

Мобильность зарядов в донорно-акцепторных соединениях на основе дифениламинов и дибензтиофендиоксидов в OLED структурах
по: Измайлова, Наталья Викторовна

Быстродействующие мощные ИК-диоды

Исследование электрофизических свойств пленок ITO

Электрическая проводимость и теплопроводность твердого раствора Sn1-xMnxTe (0 ≥ x ≥ 0.04)
по: Ахундова, Наиля Мубин гызы

Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3

Учебное пособие по дисциплине "Металлизация в системах с наноразмерными элементами" [по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника"]
по: Шевяков, Василий Иванович 1952-
Публикация: (2011)

Разработка технологии и создание монолитного GaAs СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе пленок AI и Cu: дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
по: Ишуткин, С. В. Сергей Владимирович
Публикация: (2016)

Разработка технологии и создание монолитного GaAs СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе пленок AI и Cu: автореферат дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
по: Ишуткин, С. В. Сергей Владимирович
Публикация: (2016)

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./
по: Вуд, К. Е. К., et al.
Публикация: (1988)

Действие барьерного разряда при атмосферном давлении на физические и морфологические свойства сорта пшеницы "Навруз"

Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Admittance of organic LED structures with an emission YAK-203 layer

Влияние способа получения на люминесценцию цинкфосфатного люминофора
по: Полищук, Егор Станиславович

Исследование механических напряжений в сплавных контактах металлов с полупроводниками методом фотоупругости диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Мисик, Анатолий Михайлович
Публикация: (1972)

Determination of the parameters of multi-carrier spectrum in CdHgTe. I. A review of mobility spectrum analysis methods

Адмиттанс органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203

Лабораторный практикум по дисциплине "Металлизация в системах с наноразмерными элементами" [для студентов, изучающих дисциплину "Металлизация в системах с наноразмерными элементами"]
по: Шевяков, Василий Иванович 1952-
Публикация: (2011)

Обработка семян пшеницы сорта "Навруз" плазмой барьерного разряда при атмосферном давлении
по: Ходжаев, Абдулло Тоирович

Call-центры и компьютерная телефония: монография/
по: Гольдштейн Борис Соломонович, et al.
Публикация: (2002)

Влияние температуры отжига на размер зерна УМЗ-титана

Dielectric barrier discharge KrCl - and XeCl-excilamps radiation power control by pressure jump method

Методические особенности развития координационных способностей легкоатлетов-барьеристов на этапе начальной специализации

Влияние барьерного разряда на энергию прорастания и всхожесть семян хлопчатника

Исследование структуры и свойств барьерных слоев в металлах (Fe, Cu) при низких энергиях

Численный анализ переноса фотоносителей в детекторных структурах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
по: Трофимов, Михаил Сергеевич

Формирование примесно-дефектных комплексов меди и их влияние на электрофизические свойства кремния

Криптоанализ шифра Плейфера с помощью алгоритма "имитации отжига"
по: Куттубек Кызы, Гаухар

Влияние температуры отжига под квазигидростатическим давлением на текстуру и фазовый состав керамики Bi(Pb)2223
по: Пархимович, Николай Юрьевич

Воздействие низкотемпературной плазмы барьерного разряда на поверхностные физико-химические свойства полилактида
по: Ян, Чэндун

Электрофизические свойства квазиоднородных контактов Au-TiBx-GaAs

Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Публикация: (1972)

Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом
по: Косухин, Константин Михайлович

Влияние температуры отжига на структурно-фазовое состояние и микротвердость многокомпонентных нанокомпозитных покрытий системы Al-Cr-Si-Ti-Cu-N

Influence of annealing temperature on the cytotoxicity upconversion nanoparticles on different cell lines