Особенности применения плазменных технологий для формирования наноразмерных элементов плазмоники и гетероструктурных свч транзисторов: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 01.04.04/
| Главный автор: | Филлипов, И. А. Иван Андреевич (Автор) |
|---|---|
| Соавтор: | Национальный исследовательский Томский государственный университет(Томск)21 Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук(Москва) |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Публикация: |
Томск
2020
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01010255023?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР |
Похожие документы
-
Особенности применения плазменных технологий для формирования наноразмерных элементов плазмоники и гетероструктурных свч транзисторов: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/
по: Филлипов, И. А. Иван Андреевич
Публикация: (2020) - Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT
-
Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов
по: Данилин, Борис Степанович
Публикация: (1987) -
Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях [учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Галперин, Вячеслав Александрович
Публикация: (2010) -
Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
по: Сим, П. Е. Павел Евгеньевич
Публикация: (2018)
