Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук: 01.04.07 /

Похожие документы

• Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
  по: Сысоева, Светлана Геннадьевна
  Публикация: (2018)
• Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
  по: Сысоева, С. Г.
  Публикация: (2017)
• Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
  по: Сысоева, С. Г.
  Публикация: (2018)
• Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве
  по: Давыдов, Валерий Николаевич
• Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN