Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.11.07/

Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.11.07/

Библиографическая информация
Главный автор: Афонин, К. Н. Кирилл Нильевич (Автор)
Соавтор: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)21 ООО "Научно-исследовательский институт источников света имени А. Н. Лодыгина"(Саранск)
Формат: Книга
Язык:Russian
Публикация: Томск 2021
Предметы:
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА
ПОТРЕБЛЯЕМАЯ МОЩНОСТЬ
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СВЕТА
МОДУЛИ
Online-ссылка:https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01010624024?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
Описание
Объем:25 с.: a-цв. ил.

Похожие документы