Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.11.07/

Похожие документы

• Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: диссертация ... кандидата технических наук: 05.11.07/
  по: Афонин, К. Н. Кирилл Нильевич
  Публикация: (2021)
• Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
  по: Брудный, Валентин Натанович
• Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
  по: Иванова, Елизавета Сергеевна
• Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
• Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
  по: Копьев, Виктор Васильевич