Table of Contents:
  • Попов А. П. Форсированный режим переключения магнитного поля в экранированной области 3-9; Попов А. П. Переключение магнитного поля в области, охваченной немагнитным проводящим экраном 10-22; Гусев Ю. В. Исследование температурной нестабильности переключаемых составных магнитных цепей и способов стабилизации остаточной индукции 23-29; Попов А. П. Об одном способе импульсного преобразования напряжения 30-39; Кузьмин А. А. Исследование преобразователя частоты с распределенными параметрами 40-49; Кузьмин А. А. Исследование распределенных усилителей на титанокерамических триодах 50-59; Зубакин А. Г. Высоковольтный стабилизированный источник питания с регулирующим элементом на первичной стороне трансформатора 60-63; Бондарь В. А. Генератор импульсов линейно изменяющегося напряжения с комбинированной обратной связью 64-67; Бондарь В. А. Источник телеграфного пуассоновского сигнала на стабилитроне 68-70; Передельский Г. И. Анализ работы индукционного датчика с учетом нелинейности импульсов питающего генератора 71-75; Болтрукевич П. П. Определение входного сопротивления звена затухания в пленочном исполнении 76-79; Широков А. А. Влияние пленок нитрида алюминия на скорость поверхностной рекомбинации германия 80-86; Шандра З. А. Получение диэлектрических пленок нитрида кремния с помощью ионного пучка 87-90; Славников В. С. Электронографическое исследование пленок нитрида алюминия 91-93; Подсухин В. Г. Получение пленок Al[[d]]2[[/d]]O[[d]]3[[/d]] реактивным распылением алюминия на многопозиционной установке 94-96; Вейц Н. А. Исследования по определению 10[[p]]-5[[/p]]-10[[p]]-4[[/p]]% кадмия и свинца в пленках двуокиси кремния методом амальгамной полярографии 97-100; Столярчук В. Г. Получение и исследование некоторых диэлектрических пленок на арсениде галлия 101-105; Столярчук В. Г. Пиролитическое получение пленок нитрида кремния 106-107; Торгонский Л. А. К использованию распределенных резистивно-емкостных цепей в усилительных устройствах 108-115; Воробьев П. А. Экспериментальное исследование малогабаритных зигзагообразных полосковых линий 116-120; Власов А. И. Электрические мосты, питающиеся импульсами трапецеидальной формы 121-129; Носков Д. А. О влиянии отставания фазы колебаний температуры прямоканальных катодов от тока накала на ток пучка импульсных инжекторов 130-132; Носков Д. А. О механизме эрозии электродов ускорителей при импульсной электронной бомбардировке 133-135; Сорокин В. П. Некоторые вопросы получения многослойных тонкопленочных конденсаторов на основе SiO 136-140; Руднев А. Н. Исследование электрофизических свойств ТПК на основе SiO в вакууме 141-144; Белявская Л. М. Использование кинетических эффектов для исследования структуры тонких слоев и стекол 145-148; Белявская Л. М. Магнетосопротивление гамма-облученных щелочно-силикатных стекол 149-150; Малаховская Т. П. Свечение электролюминофоров на основе сульфида стронция 151-154; Гусарова Р. В. Предпробивной ток и предпробивное свечение в щелочногалоидных кристаллах 155-158; Лубянский Г. А. Кандолюминесценция нитрида бора и пятиокиси ниобия 159-164; Брик О. Г. К вопросу о температурной зависимости кандо- и радикалолюминесценции фосфоров 165-168;