Сим, П. Е. П. Е., Троян, П. Е. П. Е., & Брудный, В. Н. В. Н. (2018). Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника.
Chicago-стиль цитированияСим, П. Е. Павел Евгеньевич, П. Е. Павел Ефимович Троян, and В. Н. Валентин Натанович Брудный. Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника. Томск, 2018.
MLA-цитированиеСим, П. Е. Павел Евгеньевич, et al. Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника. 2018.
Предупреждение: эти цитирования не могут быть точны на 100%.
