Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/

Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/

Bibliographic Details
Main Author: Сим, П. Е. Павел Евгеньевич (Author)
Corporate Author: ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21 ФГАОУ ВО "Нацианальный исследовательский Томский государственный университет"(Томск)21 АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск)
Other Authors: Троян, П. Е. Павел Ефимович, Брудный, В. Н. Валентин Натанович
Format: Book
Language:Russian
Published: Томск 2018
Subjects:
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ
ДИССЕРТАЦИИ
ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
МЕТАЛЛИЗАЦИЯ
КОНТАКТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ
ПОЛУПРОВОДНИКИ
ВАКУУМНОЕ НАПЫЛЕНИЕ
ФОТОЛИТОГРАФИЯ
ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ
Online Access:Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
Description
Physical Description:112 с.: a-граф.
Bibliography:Библиогр.: с. 102-110

Similar Items