LEADER 02644nam a2200325 i 4500
001 LibTUSUR0000079277
008 220302s2018 ru_aaa l000 0yrus d
040 |a torina  |b rus 
100 1 |a Сим, П. Е.  |q Павел Евгеньевич  |4 aut 
245 0 0 |a Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN:   |b диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/  |c П. Е. Сим ; науч. рук. П. Е. Троян ; науч. конс. В. Н. Брудный; ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, ФГАОУ ВО "Нацианальный исследовательский Томский государственный университет" (Томск), АО "Научно-производственная фирма "Микран" (Томск) 
260 |a Томск  |c 2018 
300 |a 112 с.:  |b a-граф. 
504 |a Библиогр.: с. 102-110 
535 2 |a Библиотека ТУСУР  |d https://lib.tusur.ru 
653 0 |a НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ 
653 0 |a ДИССЕРТАЦИИ 
653 0 |a ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 
653 0 |a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ 
653 0 |a МЕТАЛЛИЗАЦИЯ 
653 0 |a КОНТАКТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ 
653 0 |a ПОЛУПРОВОДНИКИ 
653 0 |a ВАКУУМНОЕ НАПЫЛЕНИЕ 
653 0 |a ФОТОЛИТОГРАФИЯ 
653 0 |a ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ 
852 |a Библиотека ТУСУР  |h 621.382  |i С 370  |p 462698  |b сбо 
080 |a 621.382.323(043.3) 
700 1 |a Троян, П. Е.  |q Павел Ефимович 
700 1 |a Брудный, В. Н.  |q Валентин Натанович 
710 2 1 |a ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21  |a ФГАОУ ВО "Нацианальный исследовательский Томский государственный университет"(Томск)21  |a АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск) 
856 |y Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР  |u https://lib.tusur.ru/irbis-new/i64r_15/cgiirbis_64.exe?Z21ID=&P21DBN=LIB&I21DBN=LIB&S21FMT=fullwebr&C21COM=S&2_S21P02=0&2_S21P03=I=&2_S21STR=621.382/С 370-873005