Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/

Библиографическая информация
Главный автор: Сим, П. Е. Павел Евгеньевич (Автор)
Соавтор: ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21 ФГАОУ ВО "Нацианальный исследовательский Томский государственный университет"(Томск)21 АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск)
Другие авторы: Троян, П. Е. Павел Ефимович, Брудный, В. Н. Валентин Натанович
Формат: Книга
Язык:Russian
Публикация: Томск 2018
Предметы:
Online-ссылка:Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы