Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
| Главный автор: | Сим, П. Е. Павел Евгеньевич (Автор) |
|---|---|
| Соавтор: | ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21 ФГАОУ ВО "Нацианальный исследовательский Томский государственный университет"(Томск)21 АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск) |
| Другие авторы: | Троян, П. Е. Павел Ефимович, Брудный, В. Н. Валентин Натанович |
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Публикация: |
Томск
2018
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР |
Похожие документы
-
Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
по: Сим, П. Е. Павел Евгеньевич
Публикация: (2018) - Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT
- Модификация поверхности карбидовольфрамового композиционного материала методами электронно-ионно-плазменного воздействия
-
Нанесение неорганических покрытий теория, технология, оборудование : учебное пособие для вузов по направлению "Материаловедение и технология новых материалов"
по: Бобров, Геннадий Васильевич
Публикация: (2004) -
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: учебное пособие для вузов: в 2 ч./
по: Королев, М. А. Михаил Александрович, et al.
Публикация: (2012)
