Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/

Bibliographic Details
Main Author:	Сим, П. Е. Павел Евгеньевич (Author)
Corporate Author:	ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21 ФГАОУ ВО "Нацианальный исследовательский Томский государственный университет"(Томск)21 АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск)
Other Authors:	Троян, П. Е. Павел Ефимович, Брудный, В. Н. Валентин Натанович
Format:	Book
Language:	Russian
Published:	Томск 2018
Subjects:	НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ ДИССЕРТАЦИИ ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ МЕТАЛЛИЗАЦИЯ КОНТАКТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ ВАКУУМНОЕ НАПЫЛЕНИЕ ФОТОЛИТОГРАФИЯ ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ
Online Access:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items