Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/

Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/

Bibliographic Details
Main Author:	Томашевич, А. А. Александр Александрович (Author)
Corporate Author:	Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)
Other Authors:	Еханин, С. Г. Сергей Георгиевич
Format:	Book
Published:	Томск 2023
Subjects:	НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ АВТОРЕФЕРАТЫ ИСТОЧНИКИ СВЕТА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НИТРИДЫ СПЕКТРЫ СВЕЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ДИОДЫ
Online Access:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01012243240?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
by: Томашевич, А. А. Александр Александрович
Published: (2023)

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
by: Романов, Иван Сергеевич

Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
by: Romanov, I. S.

Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
by: Романов, Иван Сергеевич

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
by: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Радикалорекомбинационная люминесценция и термовысвечивание нитридов бора, алюминия и галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Лубянский, Г. А.
Published: (1971)

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Спектры возбуждения и люминесценции композиций люминофор-полимер для светодиодов белого свечения
by: Мокроусов, Геннадий Михайлович

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Неметаллические нитриды
by: Самсонов, Григорий Валентинович 1918-1975
Published: (1969)

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
by: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Published: (2023)

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
by: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Published: (2023)

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
by: Коржавина, Н. С.

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Расчет каскадов радиоприемников на полупроводниковых триодах/
by: Бобров, Н. В.
Published: (1964)

Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Резистивное профилирование как метод исследования гетероструктур с множественными квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Орлова, К. Н. физик аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Published: (2013)

On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Орлова, К. Н. физик аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Published: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Орлова, К. Н. специалист в области радиационной стойкости полупроводниковых приборов аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Published: (2013)

Проектирование радиоэлектронных средств по критериям нелинейности: учебник/
by: Туев, В. И. Василий Иванович
Published: (2019)

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
by: Prudaev, Ilya A.

Локальная электролинейность и электрические свойства облученных нитридов A3N
by: Брудный, Валентин Натанович

Защитное отключение
by: Шипунов, Николай Вячеславович
Published: (1968)

Сложная структура переходов нитридов группы A3B5 в области 1-30 эВ
by: Стерхова, М. А

Photoluminescence tuning via cation substitution in oxonitridosilicate phosphors: DFT calculations, different site occupations, and luminescence mechanisms

Светодиоды и светотехнические устройства: учебное пособие/
by: Вилисов, А. А. Анатолий Александрович, et al.
Published: (2020)

Неметаллические тугоплавкие соединения
Published: (1985)