Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/

Похожие документы

• Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
  по: Томашевич, А. А. Александр Александрович
  Публикация: (2023)
• Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
  по: Романов, Иван Сергеевич
• Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
  по: Romanov, I. S.
• Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
  по: Романов, Иван Сергеевич
• Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
  по: Бессонов, Дмитрий Владимирович