Отображение 1 - 8 результаты of 8 для поиска '"Semiconductor science and technology"', время запроса: 0.05сек. Отмена результатов
  1. 1
    Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
    Опубликовано в: Semiconductor science and technology
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  2. 2
    Fermi level pinning and hydrostatic pressure effect in electron irradiated GaSb
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  3. 3
    Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures
    Опубликовано в: Semiconductor science and technology
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  4. 4
    Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe
    по Talipov, Niyaz Kh
    Опубликовано в: Semiconductor science and technology
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  5. 5
    Electronic properties of GaSe, InSe, GaS and GaTe layered semiconductors: charge neutrality level and interface barrier heights
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  6. 6
    Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts
    Опубликовано в: Semiconductor science and technology
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  7. 7
    Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis
    Опубликовано в: Semiconductor science and technology
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  8. 8
    Neutron irradiation-induced modification of electrical and structural properties of GaN epifilms grown on Al2O3 (0001) substrate
    Опубликовано в: Semiconductor science and technology
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
Инструменты поиска: RSS-поток