Отображение 161 - 180 результаты of 502 для поиска '"эпитаксия"', время запроса: 0.06сек. Отмена результатов
  1. 161
    Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  2. 162
    Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  3. 163
    Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  4. 164
    Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  5. 165
    Experimental study of NBνN barrier structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR photodetectors
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  6. 166
    Эпитаксиальный рост двумерных материалов IV группы и его моделирование
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  7. 167
    Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку
    Предметы: “...хлоридная газофазная эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  8. 168
    Трансформация конуса Дирака при нанесении металлического кобальта на топологический изолятор BiSbTeSe2
    Опубликовано в: Международная конференция "Физическая мезомеханика. Материалы с многоуровневой иерархически организованной структурой и интеллектуальные производственные технологии", посвященная 90-летию со дня рождения основателя и первого директора ИФПМ СО РАН академика Виктора Евгеньевича Панина в рамках Международного междисциплинарного симпозиума "Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций", 5-9 октября 2020 года, Томск, Россия : тезисы докладов
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  9. 169
    Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  10. 170
    Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  11. 171
    Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  12. 172
    Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  13. 173
    Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  14. 174
    Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  15. 175
    Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  16. 176
    Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  17. 177
    Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  18. 178
    Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs
    Предметы: “...металлорганическая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  19. 179
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  20. 180
    Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...молекулярно-лучевая эпитаксия...”
    Полный текст
    Статья в журнале
Инструменты поиска: RSS-поток