Отображение 1 - 2 результаты of 2 для поиска '"IEEE transactions on electron devices"', время запроса: 0.04сек. Отмена результатов
  1. 1
    Avalanche delay and dynamic triggering in gaas-based s-diodes doped with deep level impurity
    Опубликовано в: IEEE transactions on electron devices
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  2. 2
    The mechanism of superfast switching of avalanche S-diodes based on GaAs doped with Cr and Fe
    Опубликовано в: IEEE transactions on electron devices
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
Инструменты поиска: RSS-поток