Отображение 1 - 20 результаты of 50 для поиска 'Kokhanenko, Andrey P.', время запроса: 0.05сек. Отмена результатов
  1. 1
    Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  2. 2
    Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
    по Kokhanenko, Andrey P.
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  3. 3
    Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots
    по Lozovoy, Kirill A.
    Опубликовано в: Crystal growth and design
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  4. 4
    Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
    по Lozovoy, Kirill A.
    Опубликовано в: Nanotechnology
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  5. 5
    Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
    по Lozovoy, Kirill A.
    Опубликовано в: Physical chemistry chemical physics
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  6. 6
    Parameters comparison between quantum dot infrared detectors of Ge/Si and HgCdTe detectors
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  7. 7
    Performance analysis of multilayer Ge/Si photodetector with quantum dots
    по Dukhan, Rahaf M. H.
    Опубликовано в: Proceedings of SPIE
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  8. 8
    Dark current and detectivity of multilayer Ge/Si photodetector with quantum dots
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  9. 9
    Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
    по Lozovoy, Kirill A.
    Опубликовано в: Surface science
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  10. 10
    Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  11. 11
    Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system
    Опубликовано в: Surface science
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  12. 12
    Elongated quantum dots of Ge on Si growth kinetics modeling with respect to the additional energy of edges
    Опубликовано в: Journal of Physics: Conference Series
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  13. 13
    Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions
    Опубликовано в: International Journal of Nanotechnology
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  14. 14
    Analysis of the 7x7 to 5x5 superstructure transition by RHEED in the synthesis of Ge on Si (111) in an MBE installation
    Опубликовано в: Journal of Physics: Conference Series
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  15. 15
    The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  16. 16
    The surface roughening of GaN by wet chemical etching
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  17. 17
    Calculation of parameters of detectors of terahertz range based on the system immersion lens-planar antenna-semicon­ductor sensing unit
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  18. 18
    Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy
    Опубликовано в: International Journal of Nanotechnology
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  19. 19
    High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system
    Опубликовано в: Nanotechnology
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  20. 20
    Theoretical and experimental comparison of multilayer Ge/Si photodetectors with quantum dots
    Другие авторы: “...Kokhanenko, Andrey P....”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
Инструменты поиска: RSS-поток