Самоорганизация примесных дефектов при распаде твердого раствора на основе соединения GaAs:Te

по Богданова, Вера Александровна
Опубликовано в: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции

Оптические свойства сильно легированного арсенида галлия п-типа автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10...

по Богданова, Вера Александровна
Публикация 1994

Дозиметрические свойства монокристаллов GaAs Te

Опубликовано в: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП

Концентрационный и температурный фазовые переходы в арсениде галлия n-типа

Опубликовано в: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"

Совершенство кристаллической структуры монокристаллов GaAs:Te при примесном упорядочении

Опубликовано в: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции