Диарсенид кадмия-олова

по Воеводин, Валерий Георгиевич
Публикация 1988

Исследование тройных полупроводников A2 B4 C5/2

по Воеводин, Валерий Георгиевич
Опубликовано в: Вестник Томского государственного университета

Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2

по Воеводин, Валерий Георгиевич
Опубликовано в: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Анализ остаточного оптического поглощения в ближней ИК-области в кристаллах ZnGeP2

по Воеводин, Валерий Георгиевич
Опубликовано в: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)

Элементы оптической электроники на основе соединений A2B4C. . . : получение, свойства и применение Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04...

по Воеводин, Валерий Георгиевич
Публикация 2003

Элементы оптической электроники на основе соединений А2В4С. . . : получение, свойства и применение Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических...

по Воеводин, Валерий Георгиевич
Публикация 2003

Лаборатория полупроводникового материаловедения СФТИ

по Воеводин, Валерий Георгиевич
Опубликовано в: Вестник Томского государственного университета

Исследование пространственно-модулированных оптических сигналов в волноводных структурах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05...

по Морозов, Александр Николаевич
Публикация 1991

АП-конвертор излучения CO2-лазеров для лидарных систем

Опубликовано в: Третье Сибирское совещание по климато-экологическому мониторингу: Тезисы докладов

Получение монокристаллов ZnGeP2 методом ХТР в системе ZnGeP2-ZnCl2-P

Опубликовано в: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)

Влияние легирования алюминием на оптические и электрофизические свойства селенида галлия

Опубликовано в: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)

Свойства монокристаллов селенида галлия, легированных изовалентными примесями

Опубликовано в: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции

Физика сложных полупроводников и полупроводниковых структур

Опубликовано в: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)