Электронные свойства приповерхностного слоя монокристаллов n-GaAs (100)

по Генцарь, П. А.
Опубликовано в: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции