Арсенидогаллиевые тонкослойные датчики магнитной индукции на основе эффекта Холла

by Карлова, Гелия Федоровна
Published in Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Влияние гамма-облучения на характеристики датчиков магнитной индукции на основе эффекта Холла

by Карлова, Гелия Федоровна
Published in Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Магниточувствительность субмикронных ионнолегированных слоев арсенида галлия

by Карлова, Гелия Федоровна
Published in Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)

Модель протекания тока в p-nизлучающих структурах на основе арсенида галлия

by Карлова, Гелия Федоровна
Published in Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП

Линейные и нелинейные свойства винтовой неустойчивости полупроводниковой плазмы в германии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10...

by Карлова, Гелия Федоровна
Published 1985

Шумовые и радиационные свойства датчиков магнитного поля на основе арсенида галлия

by Карлова, Гелия Федоровна
Published in Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции

Исследование физических ограничений, влияющих на предельную мощность излучающего диода ИК-диапозона...

by Ханин, А. В.
Published in Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференции

Исследование возможности создания мощного излучающего диода ИК-диапазона на основе одинарной гетероструктуры GaAs-AlGaAs...

Published in Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП