Основные антиструктурные дефекты в GaAs

по Кухто, О. Л
Опубликовано в: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Термодинамика антиструктурных дефектов в GaAs

по Кухто, О. Л
Опубликовано в: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Особенности некоторых физических свойств GaAs при концентрации 10¹⁸ смˉ³. Возможное влияние АСД GaAs

по Кухто, О. Л
Опубликовано в: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Кривые ликвидуса и солидуса для GaAs. Определяющее влияние антиструктурных дефектов на стехиометрию GaAs...

по Кухто, О. Л
Опубликовано в: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Антиструктурные дефекты и прыжковая проводимость в GaAs при высоких температурах

по Кухто, О. Л
Опубликовано в: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Компенсацилнные соотношения при диффузии в полупроводниковых соединениях AIIIBV

по Кухто, О. Л.
Опубликовано в: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции

Расслоение соединений AIIIBV при низких температурах

по Кухто, О. Л.
Опубликовано в: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции