Примесный состав адсорбционных слоев на поверхностях (100) и (111)A GaAs в системе МЛЭ

by Полтавец, И. Ю.
Published in Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.

Фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев InGaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией...

by Полтавец, И. Ю.
Published in Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференции

Расчеты состава адсорбционных слоев, формирующихся на поверхности кристалла при росте

by Полтавец, И. Ю.
Published in Современные проблемы физики и технологии : (Сборник статей молодых ученых)

Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs

Published in Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП