Влияние условий зарождения пленок GaN на их полярность при молекулярно-лучевой эпитаксии

по Хамзин, Т. Х.
Опубликовано в: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.

Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001)...

Опубликовано в: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции

Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001)...

Опубликовано в: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)