Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной учебное пособие

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной учебное пособие

Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, G...

Полное описание

Библиографическая информация
Главный автор:	Шамирзаев, Т. С.
Формат:	Книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск Изд-во ТПУ 2013
Предметы:	Экситоны в полупроводниках электронный ресурс учебные пособия труды учёных ТПУ полупроводниковые гетероструктуры экситоны гетероструктуры энергетические спектры квантовые ямы гетеросистемы квантовые точки электронные возбуждения спиновая релаксация монографии
Online-ссылка:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2014/m210.pdf

Похожие документы

Оптические свойства наноструктур: учебное пособие/
по: Воробьев, Л. Е. Леонид Евгеньевич, et al.
Публикация: (2001)

Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Влияние эффектов самополяризации и экситон-фононного взаимодействия на энергию экситона в нанопленках дииодида свинца
по: Крамарь, Валерий Максимович

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Optics of semiconductors and their nanostructures
Публикация: (2004)

Последовательно-параллельная эквивалентная схема гетероструктуры с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Анализ энергетического спектра гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и InAs/GaAs квантовыми точками по данным емкостной спектроскопии и спектроскопии полной проводимости
по: Кузнецова, А. Н.

Излучательная рекомбинация свободных экситонов в алмазе
по: Попова, Алина Сергеевна

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Dynamics of vacancy formation and distribution in semiconductor heterostructures: Effect of thermally generated intrinsic electrons

Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Примерная программа учебной дисциплины " Физика низкоразмерных структур"
Публикация: (2011)

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications

Спектральные характеристики гетероструктур для светодиодов на основе твердых растворов
по: Ломов, Евгений Юрьевич

Релятивистские поправки в теории наноструктур
по: Караваев, Геннадий Федорович

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Горн, Д. И. Дмитрий Игоревич
Публикация: (2012)

Исследование квантовых ям в светодиодных структурах на основе твердого раствора AlGaInP методом спектроскопии адмиттанса
по: Брудный, Павел Александрович

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Резистивное профилирование как метод исследования гетероструктур с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
по: Каширский, Данила Евгеньевич

Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Влияние поляризации на свойства экситона в полупроводниковой квантовой точке
по: Рехвиашвили, Серго Шотович

Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1–xCdхTe heterostructures

Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
по: Бурмистров, Евгений Романович

Оптические свойства наноструктур [учебное пособие для вузов по направлению "Техническая физика"]
Публикация: (2001)

Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур [учебное пособие для студентов, обучающихся по направлению "Прикладные математика и физика", а также для студентов, обучающихся по другим направлениям и специальностям в области естественных и математических наук, техники и технологии]
по: Тимофеев, Владислав Борисович
Публикация: (2015)