Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия

В статье обобщаются результаты работы по созданию полупроводниковых структур для детекторов рентгеновских и γ-излучений на основе компенсированных хромом эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии. Приводятся сведения о параметрах слоев GaAs:Sn,Cr и структуре из...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Вестник Томского государственного университета № 278. С. 81-86
Другие авторы:	Айзенштат, Геннадий Исаакович, Гермогенов, Валерий Петрович, Гущин, Сергей Михайлович, Толбанов, Олег Петрович, Шмаков, Олег Геннадьевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	полупроводники детекторы рентгеновского излучения детекторы гамма-излучения арсенид галлия жидкофазная эпитаксия эпитаксиальные структуры статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001002653