Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ) исследована эволюция вицинальной поверхности Si(100) при эпитаксиальном росте в системе молекулярно-лучевой эпитаксии в широких диапазонах изменения температуры T и скорости роста R. Полученные временные зависимости интенсивности рефлекса ДБЭ от сверхструкт...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 4. С. 85-92
Other Authors: Эрвье, Юрий Юрьевич, Есин, Михаил Юрьевич, Дерябин, Александр Сергеевич, Колесников, Алексей Викторович, Никифоров, Александр Иванович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
дифракция быстрых электронов
молекулярно-лучевая эпитаксия
вицинальные поверхности
экспериментальные исследования
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001003959

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001003959

Similar Items