| Summary: | Методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ) исследована эволюция вицинальной поверхности Si(100) при эпитаксиальном росте в системе молекулярно-лучевой эпитаксии в широких диапазонах изменения температуры T и скорости роста R. Полученные временные зависимости интенсивности рефлекса ДБЭ от сверхструктурного домена 1×2 (I1×2) демонстрируют уменьшение интенсивности со временем, с выходом на стационарное значение I S1×2. При относительно высоких температурах IS 1×2 увеличивается с повышением T и с уменьшением R. Такое поведение стационарной интенсивности подобно поведению минимальной ширины А-террасы, достигаемой при сближении А- и В-ступеней, и может быть связано с увеличением роли упругого отталкивания ступеней, обусловленного анизотропией тензора упругих напряжений на реконструированной поверхности Si(100). В предположении прямо пропорциональной зависимости между интенсивностью I1×2 и шириной А-террасы проведено сопоставление теоретических зависимостей минимальной ширины А-террасы от температуры и скорости роста с экспериментальными данными. Показано количественное соответствие теории и эксперимента при относительно небольших значениях энергии образования адатома кремния на террасе
|
|---|
